方正富邦吴昊：存储芯片绝地反攻！日韩集体高开 这轮调整结束了？

7月21日，存储芯片板块继续杀跌随即快速拉升。Wind数据显示，截至截稿，存储器指数涨幅达6.14%。

今天日韩存储板块双双高开，三星电子涨超7%、SK海力士涨超6%，市场恐慌情绪明显缓解。此前连续杀跌的闪迪、希捷、西部数据等美股存储标的同步回暖。

这波反弹的逻辑并不复杂。首先，前期跌幅过深，技术面超卖信号集中释放。自7月初以来，存储芯片板块经历了连续大幅调整，短期跌幅已超过30%，板块内不少标的回到相对合理区间。经过连续快速回调，前期积累的大量获利盘集中兑现，市场抛压得到充分释放，估值快速回落至具备吸引力的位置，资金抄底意愿显著提升。

其次，基本面的强劲兑现为反弹提供了坚实支撑。此前，龙头公司的半年报密集出炉：佰维存储上半年预计归母净利润70-75亿元，同比增长超3200%；江波龙上半年净利92-110亿元，同比增长最高超740倍；兆易创新上半年营收115亿元，净利69亿元，同比增长超10倍。股价向下、业绩向上，这种背离本身就是市场定价偏差的体现，一旦情绪修复，估值修复只是时间问题。

第三，长鑫科技IPO顺利推进，为A股存储板块注入了新的信心锚点。 作为国产DRAM龙头，长鑫科技中签率仅0.47%，市场对国产存储核心资产的关注度和认可度可见一斑。后续长鑫科技上市有望纳入科创50等指数，带动被动资金配置，对板块资金面形成实质性利好。

第四，产业端的涨价逻辑并未动摇。瑞银7月最新预测，Q3 DRAM合约价仍将环比上涨约32%，NAND涨约30%。三大原厂将70%以上先进产能持续向HBM等高端产品倾斜，消费级DRAM供给收缩趋势没有改变。台积电二季度净利润约220亿美元、毛利率接近68%，同时上调全年资本支出80亿美元，下游AI对算力和存储的需求不仅没有放缓，反而在加速。

在我看来，本轮存储板块的急跌，更多是前期估值透支、资金集中出逃与市场情绪共振的结果，底层基本面并未出现实质性恶化。支撑存储走强的核心逻辑，AI算力持续扩张拉动需求、三大原厂将先进产能优先分配给HBM、消费级产品供给持续收紧，没有一条被打破。今天的反弹，本质上是市场对过度悲观预期的纠偏。短期震荡在所难免，但价格走势终将向真实的基本面回归。

存储器指数：8841241.WI

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